陆首群：英特尔两款技术将助其赢得市场感光胶

摘要：近日，美国市场研究公司In-Stat首席技术策略官吉姆·麦克格雷格表示，英特尔产品在2014年不一定获得竞争力，或是能够引领市场的方向。但是对此，中国开源软件推进联盟主席陆首群教授认为，英特尔只要持续努力，必成正果。 近日，英特尔技术与制造事业部副总裁MikeMayberry又公布了英特尔半

近日，美国市场研究公司In-Stat首席技术策略官吉姆·麦克格雷格表示，英特尔产品在2014年不一定获得竞争力，或是能够引领市场的方向。但是对此，中国开源软件推进联盟主席陆首群教授认为，英特尔只要持续努力，必成正果。

近日，英特尔技术与制造事业部副总裁MikeMayberry又公布了英特尔半导体工艺路线图：他们在采用FinFET技术基础上，计划于2011年攻克制程22nm（2012年上半年实现量产），2013年攻克14nm，2015年10nm（估计此时功耗可达0.1-0.2W），2017年7nm（估计此时功耗可达0.05-0.075W）。

陆首群教授称，按照英特尔加快转身的半导体工艺路线图，我们可以相信，自2012年始，其X86架构22nm的FinFET处理器技术（Atom平台）可大量支持平板电脑和智能手机进入移动设备市场；X86与ARM两种架构，FinFET与FDSOI两种技术将在移动设备市场上长期并存，激烈竞争；英特尔又指出，除采用3-D三栅极晶体管技术外，还将开发并推出光学互连，计算光刻、高密度内存、纳米线等新技术，而英特尔将依靠这些持续推出的系列创新技术（真正体现英特尔的技术实力），来支持其在移动芯片市场上的竞争和发展。ARM系制造商（高通、NVidia、TI、Marvel及苹果等）采用FDSOI技术，并采用精密制程和多核工艺，迎接来自英特尔的挑战。

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